博飞克成份分析报告

成分报告

氮含量报告

粒径分析图

XRD图

功能及亮点

碳化硅晶体材料是新一代宽禁带半导体材料，可以突破硅基半导体材料的理论限制，它具有热导率高(硅的3倍)、击穿电场强度高(硅的10倍)、饱和电子漂移速度高(硅的2倍)、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性、与GaN晶格失配小(4%)等特点，是新一代发光二极管（LED）衬底材料、大功率电力电子材料。本公司生产的半导体级碳化硅多晶粉主要针对第三代半导体---碳化硅单晶的生长需求，粒径可实现300微米到毫米级精准控制，产品纯度高于6N，氮含量低于1ppm，主要开发6H晶向的多晶粉料。

应用领域

产品用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件，此类器件广泛应用于5G通信、高铁、汽车电子、智能电网、光伏逆变等领域。

市场优势

目前，国内没有成熟的适用于半绝缘碳化硅单晶材料制备的高纯碳化硅粉生产企业，少数几家公司和科研单位采用固相烧结法进行高纯碳化硅粉源的研制，自产自用，但产品质量稳定性差，高纯半绝缘成品率很低。

技术咨询

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